英特尔官方公告：于第四季度开始生产32纳米C

　　2009年9月22日，英特尔信息技术峰会，美国旧金山——即将推出的32纳米制程技术的最新细节，这项技术将用于新的2010酷睿系列处理器和未来的片上系统SoC产品。英特尔首次开发了全功能的SoC制程技术，与CPU制程技术均使用第二代高k金属栅极晶体管，具备行业领先的性能和能耗特征。英特尔详细介绍了有关两个版本32纳米制程技术的最新情况，以及全新45纳米高k金属栅极的技术细节。在下周即将举行的英特尔信息技术峰会以及12月份召开的国际电子设备大会上提交的论文中，英特尔将通过多种方式阐述这些技术。

　　英特尔延续高k金属栅极技术的成功自2007年11月以来，英特尔已经出货了超过2亿片采用高k金属栅极晶体管的45纳米处理器。英特尔的32纳米制程已经得到认证，而Westmere CPU晶圆正在进入工厂，计划在第四季度投产在所有公开的32纳米或28纳米技术中。

　　32纳米第二代高k金属栅极晶体管的性能最高与45纳米相比，NMOS晶体管的性能提高了19%与45纳米相比，PMOS晶体管的性能提高了28% 在所有公开的32纳米或28纳米技术中，32纳米第二代高k金属栅极晶体管的密度最高用于衡量密度的晶体管栅极间距是112.5纳米。栅极间距代表了在特定区域中容纳晶体管的紧密程度。更高的密度意味着特定硅面积内的晶体管数量更多，功能和性能也可以进一步提高。

　　推出英特尔32纳米SoC制程技术—是业内所有公开的32纳米或28纳米制程技术中最先进的英特尔首次开发了全功能SoC制程技术，作为CPU制程技术的补充。

　　该制程技术的特性包括超低功率的第二代高k金属栅极晶体管，适用于低待机功耗/永远开启的电路应用；以及高电压I/O晶体管。该制程技术还包括SoC特需的全新高精度、高质量无源组件，例如电阻器、电容器和电感器。